Denne spesifikasjonen definerer monokrystallinske silisiumskiver av N-type (størrelse M10) for avanserte solceller. Produsert via czochralski -metoden med fosfordoping, har skivene lav oksygenkonsentrasjon (opptil 8e17 ved/cm³), lav karbonkonsentrasjon (opp til 5E16 ved/cm³), etch Pit -tetthet opp til 500 cm⁻², og presise overflateorientering innen 3 meier av<100>.
Viktige elektriske egenskaper inkluderer et resistivitetsområde fra 1,0 til 7,0 Ω.cm og levetid på høy minoritetsbærer (minimum 1000 μs).
Skivene har en optimalisert pseudo-kvadratgeometri med sidelengde 182 mm (toleranse 0,25 mm), diameter 247 mm (toleranse 0,25 mm) og tilstøtende sider ved 90 grader (toleranse 0,2 grader). Tilgjengelig i tykkelser fra 150 til 180 μm (med toleranser), sikrer de minimal tykkelsesvariasjon (TTV maksimalt 27 μm). Overflatekvaliteten er strengt kontrollert ("som kuttet og renset"), og forbyr forurensning og mikrosprekker, med grenser for sagmerker (maksimalt 15 μm), bue og varp (maksimalt 40 μm hver). Dette store formatet støtter bransjens skifte mot optimalisert lysfangst.
1. Materielle egenskaper
|
Eiendom |
Spesifikasjon |
Inspeksjonsmetode |
|
Vekstmetode |
CZ |
|
|
Krystallinitet |
Monokrystallinsk |
Foretrukket etseteknikker(ASTM F47-88) |
|
Konduktivitetstype |
N-type |
NAPSON EC-80TPN |
|
Dopant |
Fosfor |
- |
|
Oksygenkonsentrasjon [OI] |
Mindre enn eller lik8e +17 at/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Karbonkonsentrasjon [CS] |
Mindre enn eller lik5e +16 at/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Etch Pit Density (dislokasjonstetthet) |
Mindre enn eller lik500 cm-2 |
Foretrukket etseteknikker(ASTM F47-88) |
|
Overflateorientering |
<100>± 3 grad |
Røntgendiffraksjonsmetode (ASTM F26-1987) |
|
Orientering av pseudo kvadratiske sider |
<010>,<001>± 3 grad |
Røntgendiffraksjonsmetode (ASTM F26-1987) |
2.elektriske egenskaper
|
Eiendom |
Spesifikasjon |
Inspeksjonsmetode |
|
Motstand |
1,0-7,0 Ω.cm
|
Skiveinspeksjonssystem |
|
Mclt (minoritetsbærer levetid) |
Større enn eller lik 1000 µ |
Sinton BCT-400
Forbigående
(med injeksjonsnivå: 5e14 cm-3)
|
3.geometri
|
Eiendom |
Spesifikasjon |
Inspeksjonsmetode |
|
Geometri |
Pseudo Square |
|
|
Skråkantform
|
rund | |
|
Skive sidelengde |
182 ± 0,25 mm
|
skiveinspeksjonssystem |
|
Skivediameter |
φ247 ± 0,25 mm |
skiveinspeksjonssystem |
|
Vinkel mellom tilstøtende sider |
90 grader ± 0,2 grad |
skiveinspeksjonssystem |
|
Tykkelse |
180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
|
skiveinspeksjonssystem |
|
TTV (total tykkelsesvariasjon) |
Mindre enn eller lik 27 µm |
skiveinspeksjonssystem |
4.Overflateegenskaper
|
Eiendom |
Spesifikasjon |
Inspeksjonsmetode |
|
Kuttemetode |
Dw |
-- |
|
Overflatekvalitet |
Som kuttet og renset, ingen synlig forurensning, (olje eller fett, fingeravtrykk, såpeflekker, slurry flekker, epoksy/limflekker er ikke tillatt) |
skiveinspeksjonssystem |
|
Så merker / trinn |
Mindre enn eller lik 15 um |
skiveinspeksjonssystem |
|
Bue |
Mindre enn eller lik 40 um |
skiveinspeksjonssystem |
|
Warp |
Mindre enn eller lik 40 um |
skiveinspeksjonssystem |
|
Chip |
dybde mindre enn eller lik 0,3 mm og lengde mindre enn eller lik 0,5 mm maks 2/PC -er; Ingen v-chip |
Nakne øyne eller skivinspeksjonssystem |
|
Mikrosprekker / hull |
Ikke tillatt |
skiveinspeksjonssystem |
Populære tags: N-type M10 Monocrystalline Silicon Wafer Specification, Kina, leverandører, produsenter, fabrikk, laget i Kina
