Multikrystallinsk silisiumblokkvekst ved retningsbestemt størkning (DS)

Nov 25, 2021

Legg igjen en beskjed


Retningsbestemt størkning (DS) er hovedmetoden for fremstilling av multikrystallinske Si-barrer for solceller.


Fra polysilisium til multikrystallinsk barre


For det første fylles polisilisiumbiter i smeltedigelen. Deretter overføres digelen til det retningsbestemte størkningssystemet, etter ca. 50 timer lages den multikrystallinske blokken.


imageSilisiumladning i smeltedigel; Multikrystallinsk avstøpning; Ferdig ingot.



Fra ingot til oblater


Disse store blokkene blir så saget til mindre murstein som i fig. (a) (b), og etter avfasing blir mursteinene skåret i skiver. Wafere er generelt firkantede med sider i området 15–17 cm.


image

(a)(b) Saget til murstein; (c) Murstein er slipt; (d) Avfaset, deretter (e) Saget til wafere, (f) As-cut wafers.




Sende bookingforespørsel
Sende bookingforespørsel