Silisium wafer

P-type SiC-substrater er designet for homoepitaksial vekst og utvikling av ultra-høyspente-krafthalvlederenheter. Med utmerkede elektriske og termiske egenskaper er dette SiC-substratet med

Halv-isolerende SiC-substrater tilbyr høy resistivitet og utmerkede termiske egenskaper, noe som gjør dem egnet for GaN heteroepitaksial vekst og høy-RF-halvlederapplikasjoner. Som et høyytelses

N--type SiC-substrater er konstruert for homoepitaksial vekst i avansert krafthalvlederproduksjon. Med overlegen elektrisk og termisk ytelse er dette høyytelses SiC-substratet egnet for