(1) utstyr: bruk av flerlinjet kutte, silisium stangen skåret i en firkantet wafer.
(2) vask: Bruke konvensjonelle wafer rengjøringsmetode, og deretter bruke syre (eller lut) løsning vil kutte overflaten av wafer skade laget fjerne 30-50um.
(3) utarbeidelse av fløyel overflaten: bruk av alkaliske løsningen på silisium wafer Anisotrop korrosjon på wafer overflaten å utarbeide fløyel overflaten.
(4) fosfor diffusion: bruker belegg kilde (eller flytende kilde eller solid nitrogen fosfat flake kilde) for diffusjon, gjorde pn + knute, knute dypt vanligvis på 0,3-0.5um.
(5) perifere etsing: diffusjon laget dannet på overflaten av silisium wafer når diffust, det kan kortslutte øvre og nedre elektrodene på batteriet og fjerne det eksterne diffusjon laget ved maskering våt etsing eller plasma tørr etsning.
(6) fjerne tilbake pn + knot.Common våt etsing eller slipende plate metoden å fjerne tilbake pn + knuten.
(7) produksjon av øvre og lavere elektroder: vakuum fordamping, electroless nikkel plating eller aluminium lim utskrift og sintring prosessen. Gjøre lavere elektroden først og deretter gjøre øvre elektroden. Aluminium lime utskrift er et stort antall prosessen metoder brukes.
(8) produksjon av antireflection film: for å redusere refleksjon tapet, til silicon wafer overflaten som dekker et lag av antireflection film. Materialer for å lage antireflection filmer er MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, TA2O5, etc.
Prosessen metoden kan brukes i vakuum belegg, ion plating, sputtering, utskrift, pecvd eller sprøyting.
(9) Sintering: sintring batteri chip på bunnplate nikkel eller kobber.
(10) testfiler: i henhold til spesifikasjonene parametere, teste klassifisering.
