N Type Silicon Solar Cell

Silicon Heterojunction Technology (HJT) er basert på et emitter- og bakoverflatefelt (BSF) som produseres ved lavtemperaturvekst av ultra-tynne lag av amorft silisium (a-Si:H) på begge sider av svært

210mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) solcelle er med 24.4% effektivitet og nominell effekt på 10.76Watt per celle.

Silicon Heterojunction Technology (HJT) er basert på et emitter- og bakoverflatefelt (BSF) som produseres ved lavtemperaturvekst av ultratynne lag av amorft silisium (a-Si:H) på begge sider av meget

TOPCON (tunnel oxide passivated contact) teknologi øker N-type solcelleeffektivitet opp til 25 prosent. Industriell 210 mm TOPCon solcelle har maksimal 24,4 prosent effektivitet og 10,76 Watt

TOPCON (tunneloksid -passivert kontakt) -teknologi øker solcelleeffektiviteten av N -typen med opptil 24,5%. Monokrystallinsk N -type 182 mm TOPCon -solcelle er med nominell effekt 8,08 Watt ved

Oppgradert fra PERT -teknologi, TOPCON (tunneloksid passivert kontakt) teknologi kombinert med AlOx/ SiNx passiveringslag øker N type 166 mm solcelleeffektivitet opp til 24,4%. Monokrystallinsk N

N-type mono bifacial PERT (passivert emitter bak diffust) silisium solceller har høye og stabiliserte konverteringseffektiviteter. Bifacial PERT solcelle av typen type kan produseres med prosessflyt

N-type Mono bifacial PERT (passivisert emitter bak helt diffust) silisium solceller har høy og stabilisert konvertering effektivitet.N-type silisium solceller anses som lovende alternativer til

I den interdigiterte ryggkontakten (IBC) cellestrukturen er senderen og kontakten begge på baksiden av skiven som tillater uavhengig optimalisering av frontoverflaten for optiske egenskaper og

N-type Mono bifacial PERT (passivisert emitter bak helt diffust) silisium solceller har høy og stabilisert konvertering effektivitet.N-type silisium solceller anses som lovende alternativer til