N Type Silicon Solar Cell

Silicon Heterojunction Technology (HJT) er basert på et emitter- og bakoverflatefelt (BSF) som produseres av lav temperaturvekst av ultratynne lag av amorf silisium (a-Si: H) på begge sider av meget godt rensede monokrystallinske

210mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) solcelle er med 24.4% effektivitet og nominell effekt på 10.76Watt per celle.

Silicon Heterojunction Technology (HJT) er basert på et emitter- og bakoverflatefelt (BSF) som produseres ved lavtemperaturvekst av ultratynne lag av amorft silisium (a-Si:H) på begge sider av meget godt rengjorte monokrystallinske

TOPCON (tunnel oxide passivated contact) teknologi øker N-type solcelleeffektivitet opp til 25 prosent. Industriell 210 mm TOPCon solcelle har maksimal 24,4 prosent effektivitet og 10,76 Watt merkeeffekt.

TOPCON (tunneloksid -passivert kontakt) -teknologi øker solcelleeffektiviteten av N -typen med opptil 24,5%. Monokrystallinsk N -type 182 mm TOPCon -solcelle er med nominell effekt 8,08 Watt ved 24,5% effektivitet. Bifasialt solcellepanel

Oppgradert fra PERT -teknologi, TOPCON (tunneloksid passivert kontakt) teknologi kombinert med AlOx/ SiNx passiveringslag øker N type 166 mm solcelleeffektivitet opp til 24,4%. Monokrystallinsk N type 166 mm TOPCon solcelle er med nominell

N-type mono bifacial PERT (passivert emitter bak diffust) silisium solceller har høye og stabiliserte konverteringseffektiviteter. Bifacial PERT solcelle av typen type kan produseres med prosessflyt ved hjelp av ionimplantat for ensidig

N-type Mono bifacial PERT (passivisert emitter bak helt diffust) silisium solceller har høy og stabilisert konvertering effektivitet.N-type silisium solceller anses som lovende alternativer til p-type solceller for neste generasjon svært

I den interdigiterte ryggkontakten (IBC) cellestrukturen er senderen og kontakten begge på baksiden av skiven som tillater uavhengig optimalisering av frontoverflaten for optiske egenskaper og bakside for elektroniske egenskaper til

N-type Mono bifacial PERT (passivisert emitter bak helt diffust) silisium solceller har høy og stabilisert konvertering effektivitet.N-type silisium solceller anses som lovende alternativer til p-type solceller for neste generasjon svært