Back Surface Field (BSF) solcelle-teknologi
Back Surface Field (BSF) har blitt brukt som et middel for å forbedre solcelleytelsen ved å redusere overflate rekombineringshastighet (SRV). En av metodene for å produsere BSF er ved å introdusere høyt dopet lag på den bakre overflaten av waferen.
Skjermtrykt aluminium og raske termiske legeringer brukes sammen for å få et Al-bakoverflatefelt (Al-BSF) som kan senke den effektive rekombinasjonshastigheten på baksiden. Denne prosessen er blitt kombinert i en høy effektivitet, laboratoriefabrikasjon og en høy gjennomstrømning, industriell prosess for å oppnå slike solcelleeffektiviteter i overkant av 19,0% og 17,0%.
De kritiske prosesskravene for optimal dannelse av Al-BSF er:
Bruk av en rask rampe for å nå legeringstemperaturen
Tykk film Al avsetning før legeringen.
Den vanlige tilnærmingen for å gi p-kontakten til industrielle silisiumceller av typen p bruker aluminiumslegerte silketrykk og avfyrt bakkontakt.
Passivated Emitter Rear Contact (PERC) solcelle-teknologi
For å forbedre antall fotoner som fanges opp av en solcelle, legger PERC-teknologien til ytterligere to lag på baksiden av cellen.
PERC solcelle
PERC (Passivated Emitter Rear Contact) -teknologi er kombinasjonen av bakre overflatepassivering av wafer og lokale bakkontakter, en prosess som gir betydelige effektivitetsforbedrende fordeler, spesielt på PV-systemnivå.
& lt; Eksepsjonell ytelse under forhold med lite lys og høy temperatur.
Høyere energitetthet per kvadratmeter enn konvensjonelle monokrystallinske celler.
Økt lysabsorpsjon, da uabsorbert lys reflekteres tilbake til solcellen.
Større intern reflektivitet; Reduksjon av elektronrekombinasjon.
Disse lagene forbedrer bevegelsen av elektroner i cellen, og spretter også lys tilbake i cellen, og gir cellen en ny sjanse til å fange elektroner som ellers bare ville passere gjennom. Den absolutte gevinsten i effektivitet fra PERC vil variere fra produsent til produsent, men du kan omtrent forvente en absolutt økning på 1% effektivitet i cellen. Dette betyr at hvis solcellepanelet var 19% effektivt, kan bruken av PERC øke panelet til 20% effektivitet.
Tunnel Oxide Passivated Contact (TOPCon) solcelle-teknologi
Det er det ordet "passivert" igjen. Faktisk er TOPCON-teknologien i utgangspunktet bare neste generasjon av PERC, og i likhet med den som er forbear, kan den legges til celler produsert på tradisjonell måte. TOPCon innebærer å tilsette et ultratynt lag med silisiumdioksid (SiO2) og et lag polykrystallinsk silisium dopet med fosfor.
Fordi TOPCon er det neste logiske trinnet etter PERC, tilfører det ikke mye ekstra kostnader til det ferdige produktet. Det kan gi ytterligere effektivitetsgevinster over PERC, men den teoretiske maksimale effektiviteten er 23,7%. Det er viktig å merke seg at dagens TOPCon-teknologi topper litt over 22%.
Heterojunction (HJT) solcelle-teknologi
Heterojunction solceller er laget av vekslende lag av tradisjonelt krystallinsk silisium og amorft silisium, hvorav sistnevnte normalt er assosiert medtynnfilm solcellepaneler. Ved å kombinere de to forskjellige lagene, absorberer HJT-celler flere bølgelengder av lys, og de forskjellige lagene jobber sammen for å gjøre cellene de mest effektive på markedet i dag.
Dessverre kan ikke HJT-teknologi lages på samme måte som tradisjonelle solceller kan, så det krever betydelig omverktøy og nye industrielle prosesser. Dette har en tendens til å gjøre HJT-solcellemoduler ganske dyre, selv om de har et rykte for førsteklasses kvalitet og høy ytelse.
HJT-solceller har en teoretisk maksimal effektivitet på mer enn 26,7%, men dagens tilbud fra selskaper som REC Solar og Panasonic topper rundt 24%.
Interdigitated back contact (IBC) solcelle-teknologi
I stedet for energikonvertering av frontkontakt, har IBC energikonvertering av bakkontakt. Dette gjør at hele fronten av cellen absorberer sollys, uten skyggelegging fra metallbåndene, og konverterer flere fotoner til energi.
IBC-solceller krever interdigitert (eller stripet) doping på baksiden og har bare kontakter på baksiden. Denne dopingen kan oppnås ved maskert diffusjon, maskert ionimplantasjon eller laserdoping. Solcellene metalliseres deretter ved å danne metallfinger langs hvert diffuse område.
