Beskrivelse

Tekniske parametere

【Produktbeskrivelse】

Silicon Heterojunction Technology (HJT) er basert på et emitter- og bakoverflatefelt (BSF) som produseres ved lavtemperaturvekst av ultratynne lag av amorft silisium (a-Si:H) på begge sider av meget godt rengjorte monokrystallinske silisiumskiver , mindre enn 160 μm i tykkelse, hvor elektroner og hull er fotogenerert.

HJT solar cell structure 400 Profile2

【Prosessflyt】

Process flow A black

【Viktige funksjoner】

Høy Eff og høy Voc

Lav temperaturkoeffisient 5-8 prosent effektforsterkning

Bifacial strukturer

【Viktige funksjoner】

Høy effektivitet og høy Voc

Lav temperaturkoeffisient 5-8 prosent effektforsterkning

Bifacial strukturer

【Tekniske data】

TEKNISKE DATA OG DESIGN		TEMPERATURKOEFFIKSJONER OG LØDEBARHET
Dimensjon	166mm*166mm±0.25	TkUoc (prosent /K)	-0.192
Tykkelse	150 pluss 20 μm/-10 μm	TkIsc (prosent /K)	pluss 0.035
Front	9×0,1 mm frontelektrode av sveisepunkttype	TkPMAX ( prosent /K)	-0.236
Tilbake	9×0,1 mm bakelektrode av sveisepunkttype	Avskallingsstyrke Minimum	>1,4N/mm

ELEKTRISKE PARAMETRE ved STC
Nei.	Effektivitet ( prosent )	Pmpp (W)	Uoc (V)	Isc (A)	Umpp (V)	Impp (A)	FF ( prosent )
1	24.40	6.69	0.746	10.758	0.644	10.386	83.35
2	24.30	6.66	0.746	10.754	0.644	10.352	83.10
3	24.20	6.63	0.745	10.750	0.643	10.318	82.84
4	24.10	6.61	0.745	10.745	0.643	10.282	82.56
5	24.00	6.58	0.744	10.740	0.642	10.245	82.27
6	23.90	6.55	0.744	10.728	0.642	10.210	82.06
7	23.80	6.52	0.744	10.716	0.641	10.175	81.84
8	23.70	6.50	0.744	10.683	0.642	10.124	81.76
9	23.60	6.47	0.744	10.649	0.642	10.072	81.67
10	23.50	6.44	0.743	10.628	0.640	10.072	81.64
11	23.40	6.41	0.741	10.607	0.637	10.072	81.61
12	23.30	6.39	0.741	10.602	0.635	10.058	81.35
13	23.20	6.36	0.740	10.596	0.633	10.043	81.09
14	23.10	6.34	0.741	10.563	0.635	9.979	80.88
15	23.00	6.31	0.742	10.530	0.636	9.914	80.67
16	22.90	6.28	0.742	10.504	0.635	9.890	80.57
17	22.80	6.25	0.742	10.477	0.634	9.865	80.46
18	22.70	6.23	0.741	10.488	0.632	9.850	80.18
19	22.60	6.20	0.739	10.499	0.630	9.834	79.89
20	22.50	6.17	0.738	10.496	0.629	9.809	79.72
21	22.40	6.14	0.736	10.493	0.628	9.784	79.54

【Spektral respons】

Spectral Response 4

【Intensitetsavhengighet】

Intensity Dependence 4

Populære tags: n type 166mm m6 hjt solcelle, Kina, leverandører, produsenter, fabrikk, laget i Kina

N Type 166mm M6 HJT Solcelle